光刻机是半导体生产制造的主要生产设备之一，也是决定整个半导体生产工艺水平高低的核心技术机台。半导体技术发展都是以光刻机的光刻线宽为代表。光刻机通常采用步进式(Stepper)或扫描式(Scanner)等，通过近紫外光(Near Ultra-Vi—olet，NUV)、中紫外光(Mid UV，MUV)、深紫外光(DeepUV，DUV)、真空紫外光(Vacuum UV，VUV)、极短紫外光(Extreme UV，EUV)、X-光(X-Ray)等光源对光刻胶进行曝光，使得晶圆内产生电路图案。一台光刻机包含了光学系统、微电子系统、计算机系统、精密机械系统和控制系统等构件，这些构件都使用了当今科技发展的尖端技术。

目前，在集成电路产业使用的中、高端光刻机采用的是193nmArF光源和13.5nmEUV光源。使用193n11光源的干法光刻机，其光刻工艺节点可达45nm：进一步采用浸液式光刻、OPC(光学邻近效应矫正)等技术后，其极限光刻工艺节点可达28llm；然而当工艺尺寸缩小22nm时，则必须采用辅助的两次图形曝光技术(Double patterning，缩写为DP)。然而使用两次图形曝光。会带来两大问题：一个是光刻加掩模的成本迅速上升，另一个是工艺的循环周期延长。因而，在22nm的工艺节点，光刻机处于EuV与ArF两种光源共存的状态。对于使用液浸式光刻+两次图形曝光的ArF光刻机。它可以将光刻工艺节点延伸至10nm，之后将很难持续。EUV光刻机，作为下一代光刻技术的代表，则有可能使工艺制程继续延伸到5nm。

外型形态与功能

功能是产品的基础，产品要实现各种功能就需要具有与之相应的外观功能结构。产品的形态要不但能向外界传达其内部复杂结构的存在，还要能深刻地表达这些功能部件有序、巧妙的空间组织结构。光刻机的功能结构决定了其外观造型的基础。

光刻机是以刻蚀涂胶硅片为目的的设备，因此其外观造型必须得符合光刻功能结构的要求，不能因为造型需要而妨碍功能结构，阻碍了光刻机功能实现。同时，光刻机造型必须更好的为其内部功能的实现提供帮助。

光刻机的作业与人的操作密切相关，它的启动、工作实施及监控等都需要人的操作，因此其外观也必须充分考虑对人的影响。光刻机的造型必须更好地为内部功能的实现服务[3]。

操作姿势

人们在操作光刻机时，主要是站立姿势。光刻机在工作时，需要人去观察控制的装置主要有电脑显示器、鼠标键盘、主工作台、仪表盘和工作视窗等。所以，针对每一部分，主要需要考虑的人机问题有：电脑显示器的安放高度和倾斜度；放置鼠标键盘的底座的高度和倾斜度；工作台距离地面的高度；仪表盘安放的位置和高度；工作视窗的倾斜度这几个方面。